传感器应用实验台

- 传感器实验台系列
  
  一、金属应变片传感器应用实验台
  使用应变片进行测试时，首先要将应变片牢固地粘贴到测试体表面。当被测件受力发生形变，应变片敏感栅也同时变形，其阻值也随之发生相应变化。之后，再通过测量转换电路，将电阻值变化转换成电压输出信号显示。
  主要技术参数
  1. 电阻值120Ω
  2. 平均值偏差0.3Ω
  3. 供电电压：3019V
  4. 应变极限20000um/m
  5. 温度适应-30—60℃
  6. 室温绝缘电阻10000MΩ
  7. 机械滞后1.2um/m
  二、半导体固态压阻式传感器应用实验台
  压阻式传感器单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。
  主要技术参数
  1. 供电电源：1.5mA/5V
  2. 电桥电阻：3kΩ～6kΩ
  3. 补偿范围：-10℃~70℃
  4. 响应时间(10%～90%)：<1ms
  5. 绝缘电阻：≥250MΩ/250V DC
  6.允许过压：1.5 倍满量程
  7. 零点 -2 ±1 2 mV
  8. 满量程 55 mV
  9. 补偿温度 -10—70 ℃
  10. 工作温度范围 -40—125 ℃
  11. 长期稳定性 ?±0.3 %FS
  三、自感式传感器应用实验台
  由线圈、铁芯和衔铁三部分组成。铁芯和衔铁由导磁材料如硅钢片或坡莫合金制成，在铁芯和衔铁之间有气隙，传感器的运动部分与衔铁相连。当被测量变化时，使衔铁产生位移，引起磁路中磁阻变化，从而导致电感线圈的电感量变化，因此只要能测出这种电感量的变化，就能确定衔铁位移量的大小和方向。
  主要技术指标
  1.检测距离5mm
  2.设定距离0—4mm
  3.相应频率DC0.5HZ、AC25HZ
  4.电源DC12—24V
  5.耐电压AC1000V、50/60HZ
  6.电压影响±15%
  7.电流消耗13mA 控制输出≤400mA
  8.环境温度-30—65℃
  9.绝缘阻抗50MΩ
  四、互感式传感器应用实验台
  互感式传感器次级绕组（输出）都用差动连接, 故称差动变压器式传感器。当衔铁在中间位置时，两个二次绕组的互感相同，因此感生的电动势也相同，因而反向串联的差动输出电压为零;当衔铁移向二次绕组其中一边时，则移近侧绕组中的互感变大，另一侧互感变小，反向串联的差动输出电压不为零。定义移向某一侧为正方向，侧移向相反侧输出电压反相。差动变压器的电压输出随衔铁的移动量变大而变大。
  主要技术参数
  1. 额定输入电流2mA
  2. 额定输出电流2mA
  3. 变比1000:1000
  4. 相位差≤45’
  5. 线性范围0—1000V、0—10mA
  6. 隔离电压4000V
  7. 工作温度-40—70℃
  五、电容式传感器应用实验台
  具有可变参数的电容器电容式传感器，将被测物理量或机械量转换成为电容量变化的一种转换装置，实际上就是一个。
  主要技术参数
  1. 检测距离15mm±10%
  2. 设定距离0—13mm
  3. 滞后距离≤10%
  4. 相应频率DC0.5KHZ、AC25HZ
  5. 电源DC12—24V
  6. 电流消耗≤13mA
  7. 使用环境-30—65℃
  8. 温度影响±15%
  六、压电式传感器应用实验台
  压电式传感器的敏感元件由压电材料制成。压电材料受力后表面产生电荷。此电荷经电荷放大器和测量电路放大和变换阻抗后就成为正比于所受外力的电量输出。压电式传感器用于测量力和能变换为力的非电物理量。
  主要技术指标
  1.量程50Kg
  2.综合误差≤1%
  3.输出灵敏度1.0±15%mV/V
  4.非线性0.05%F.S
  5.重复性0.05%F.S
  6.滞后0.05%F.S
  7.零点输出±0.3mV/V
  8.蠕变0.1%F.S
  9.零点漂移0.1%F.S
  10.输入阻抗1000±10Ω
  11.输出阻抗1000±10Ω
  12.绝缘电阻≥2000MΩ
  13.使用温度范围-10—50℃
  七、磁电式传感器应用实验台
  磁电式传感器把被测对象的机械能转换成易于测量的电信号。磁电式传感器有时也称作电动式或感应式传感器，它只适合进行动态测量。输出功率较大，配用电路较简单及性能稳定。
  主要技术参数
  1. 输出波形：近似为正弦波（≥50r/min时）
  2. 输出信号幅值：50r/min时≥300mV
  3. 测量范围：50～10000Hz
  4. 使用时间：连续使用
  5. 环境温度：-20～+60℃
  6.输出形式：X12K4P四蕊插头
  八、霍尔传感器应用实验台
  恒定电流流经霍尔半导体片，洛仑兹力的作用使得电流在通过霍尔半导体时偏向一侧，使得在电流垂直方向上产生电位差，即霍尔电压。霍尔电压受磁场强度影响，磁场越强，霍尔电压越高。根据这种特性来控制执行元件执行动作。
  主要技术参数
  1. 设定距离0—0.8mm
  2. 滞后距离10%以下
  3. 检测距离磁性金属（非磁性金属时检测距离减小）
  4. 相应频率1KHZ
  5. 电源DC12-24V（AC110—220V)
  6. 耐电压AC1000V、50/60HZ
  7. 电压影响±15%
  8. 电流消耗≤13mA
  9. 控制输出≤400mA
  10.环境温度-30—65℃
  11.绝缘阻抗50MΩ
  九、热敏电阻式传感器应用实验台
  热敏电阻的电阻值随着温度的变化而改变，按照温度系数不同分为正温度系数热敏电器（PTC）和负温度系数热敏电阻器（NTC）。热敏电阻器的典型特点是对温度敏感，不同的温度下表现出不同的电阻值。正温度系数热敏电阻器（PTC）在温度越高时电阻值越大负温度系数热敏电阻器（NTC）在温度越高时电阻值越低。利用电阻值随温度的变化的特性来控制执行元件执行动作。
  主要技术参数
  1.阻值10kΩ±5% (at 25℃)
  2.B值B25/50: 3950K±1 %
  3.耗散系数 2 mW/℃
  4.热时间常数 15s
  5. 功率 2.5 mW (at 25℃
  6.工作温度-40—85℃
  十、晶体管与集成温度传感器应用实验台
  当两个相同的晶体管在集电极电流密度比恒定的情况下工作时，它们的基极-发射极电压差仅与绝对温度成正比。其他的温度传感器则基于采用二极管接法的晶体管的基极-发射极电压VBE的行为，此VBE随着温度反向变化，这个变化速率非常恒定，为- 2mV /℃。利用其变化从而去驱动执行元件执行动作。
  ???? 主要技术参数
  1.检测温度范围－10℃ ---?＋110℃，
  2.进阶单位为＋1℃
  3.检测温度精度 ±2.5℃
  4.低电压工作 VDD (最小值) = 2.5 V (检测温度 = ＋20℃ --?＋110℃)，VDD (最小值) = 2.7 V (检测温度 = 0℃ --?＋110℃)，VDD (最小值) = 2.8 V (检测温度 = －10℃ --?＋110℃)，
  低消耗电流 10 μA 典型值 (＋25℃)
  5.工作温度范围－40℃ --?＋125℃
  十一、光电传感器应用实验台
  光电传感器它首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。
  主要技术参数
  1. 供电电源：100mA/5V供电
  2. 消耗电流 DC<25mA
  3. 响应时间 <2ms
  4. 有效距离80CM可调
  5. 检测物体：透明或不透明体
  6、工作环境温度：-25℃~+55℃
  7、标准检测物体：太阳光10000LX以下白炽灯3000LX以下
  8、外壳材料：塑料
  十二、红外传感器应用实验台
  红外线传感器通过红外线反射原理，当携带红外线的物体在红外线区域内，红外线发射管发出的红外线由于物体摭挡反射到红外线接收管，通过集成线路将信号发送给被控元件，被控元件接受信号后按指定的指令执行动作。
  主要技术参数:
  1. 供电电源：100mA/5V
  2. 消耗电流 DC<25mA
  3. 响应时间 <2ms
  4. 有效距离80CM可调
  5. 检测物体：透明或不透明体
  6. 工作环境温度：-25℃~+55℃
  7. 标准检测物体：太阳光10000LX以下白炽灯3000LX以下
  
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